准备层温度对黄光LED光电特性和老化性能的影响

摘要：

研究了InGaN/GaN超晶格准备层的生长温度对Si衬底GaN基黄光LED光电特性和老化性能的影响.研究发现准备层生长温度较高的样品外量子效率高于准备层生长温度较低的样品.500 mA电流下老化1000 h后,准备层生长温度较高的样品的光衰相对更大.老化前后100 K的电致发光光谱显示高温生长的样品老化后的空穴注入途径发生变化;老化后光衰大的样品非辐射复合中心增加的程度更大.荧光显微镜观察到两个样品老化前均出现大量暗斑,高温样品的颜色更深更黑,低温样品颜色则相对较浅且呈红色.老化后高温样品的暗斑数量有所增加,而低温样品数量变化不大,这可能也是导致超晶格温度高的样品光衰更大的原因之一.

关键词：硅衬底、黄光LED、可靠性

所属期刊栏目：41

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：无荧光粉健康光源开发平台建设;国家自然科学基金

在线出版日期：2020-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：461-467