量子垒生长速率对InGaN基绿光LED性能的影响

摘要：

利用MOCVD技术在图形化Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN绿光LED外延材料.在GaN量子垒的生长过程中,保持NH3流量不变,通过调节三乙基镓(TEGa)源的流量来改变垒生长速率,研究了量子垒生长速率对LED性能的影响.使用二次离子质谱仪(SIMS)和荧光显微镜(FLM)分别对量子阱的阱垒界面及晶体质量进行了表征,使用电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征.实验结果表明,垒慢速生长,在整个测试电流密度范围内,外量子效率(EQE)明显提升.我们认为,小电流密度下,EQE的提升归结为量子阱晶体质量的改善;而大电流密度下,EQE的提升则归结为阱垒界面陡峭程度的提升.

关键词：绿光LED、量子垒、生长速率、外量子效率

所属期刊栏目：41

分类号：O484.4;TN383+.1(固体物理学)

资助基金：江西省重大科技研发专项;国家自然科学基金;中央引导地方科技发展专项资金

在线出版日期：2020-05-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：429-434