MOCVD法制备BGaN薄膜
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上进行了BGaN薄膜的外延生长,研究了生长厚度、温度、压力和B/Ⅲ比等条件对BGaN薄膜中B组分的影响.X射线衍射测试结果表明,降低生长温度、压力以及增加B/Ⅲ比,更有利于提高BGaN薄膜中B的并入效率.在800℃、30 kPa及B/Ⅲ比为30%的生长条件下,制备的BGaN薄膜中B组分最高,为6.1%.
氮化硼镓、金属有机物化学气相沉积、薄膜
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TP394.1;TH691.9(计算技术、计算机技术)
国家重点研发计划;国家自然科学基金;光电材料与技术国家重点实验中山大学开放课题
2020-05-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
357-363