氧等离子体处理对GaAs表面单层自组装SiO2纳米球薄膜的影响

摘要：

二维纳米阵列结构因其重要的光学性能被广泛应用于各类光电子器件.本文对自组装单层SiO2纳米球掩模刻蚀法制备GaAs纳米柱二维阵列结构的关键工艺技术进行了研究.采用旋涂法在GaAs表面制备自组装单层SiO2纳米球,重点研究了GaAs表面氧等离子体亲水处理工艺对纳米球排列特性的影响,获得最佳工艺条件为功率配比100 W+80 W、腔室压力4 Pa、氧气流量20 mL/min、处理时间1200 s,并最终得到排列紧密的大面积单层纳米球薄膜.以单层纳米球为掩模,采用感应耦合等离子体刻蚀技术在GaAs表面制备了纳米柱阵列并测试了其表面光反射谱.测试结果表明,GaAs纳米柱阵列在特定波段的反射率降低至5％,远低于表面无纳米结构的薄膜材料表面高达40％的光反射.分析表明纳米柱可以激发米氏散射共振效应,从而有效降低反射率并提升光吸收.

关键词：SiO2纳米球、氧等离子体、ICP刻蚀

所属期刊栏目：41

分类号：TN204(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金;江西省新能源工艺及装备工程技术研究中心开放基金

在线出版日期：2020-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：253-258