CdSe x S1-x电子学结构及光学性质的第一性原理研究

摘要：

CdSe是Ⅱ-Ⅵ族中重要的半导体材料,一定条件下可与CdS形成无限固溶体CdSexS1-x(0≤x≤1).CdSex S1-x在薄膜太阳电池及光电器件等领域具有重要的应用,对CdSex S1-x的电子学结构和光学性质进行研究有助于进一步提高其在光电器件等方面的应用.基于第一性原理,采用平面波超软赝势方法,计算了CdSex S1-x的电子学结构及光学性质,并将计算结果与实验进行了对比.结果表明,CdSex S1-x的晶格常数随着Se组分的增加呈线性增大趋势,态密度向低能级方向移动,禁带宽度减小,光吸收边发生一定程度的蓝移.当Se含量为0.5时,CdSexS1-x的光折射、反射和能量损失最大.除了Se和S的比例为1:1时CdSexS1-x所属晶系为三斜晶系,其他比例下均为立方晶系.理论计算结果与实验符合.

关键词：CdSexS1-x、第一性原理、电子结构、光学性质

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分类号：O477.5;O472+.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61704115;国家重点研发项目:牛顿基金中英研究创新2016YFE0124500

在线出版日期：2020-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：188-193