p-GaN插入层调控InGaN基黄绿双波长LED发光光谱
采用MOCVD技术在硅衬底上生长了含有7个黄光量子阱和1个绿光量子阱的混合有源区结构的In-GaN基黄绿双波长LED外延材料,研究了电子阻挡层前p-GaN插入层厚度对黄绿双波长LED载流子分布及外量子效率(EQE)的影响.通过LED变温电致发光测试系统对LED光电性能进行了表征.结果表明,100 K小电流时随着电流密度的增大,三组样品的绿光峰与黄光峰相对强度的比值越来越大,且5.5 A·cm-2的电流密度下,随着温度从300 K逐步降低至100 K,三组样品的绿光峰与黄光峰相对强度的比值也越来越大,说明其载流子都在更靠近p型层的位置发生辐射复合.三组样品的p-GaN插入层厚度为0,10,30 nm时,EQE峰值依次为29.9％、29.2％和28.2％,呈现依次减小的趋势,归因于p-GaN插入层厚度越大,p型层越远离有源区,空穴注入也越浅.电子阻挡层前p-GaN插入层可以有效减小器件EL光谱中绿光峰随着电流密度增加时峰值波长的蓝移(33 nm),实现了对低温发光光谱的调控.
硅衬底、黄绿双波长LED、p-GaN插入层、发光光谱
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O484.4;TN383+.1(固体物理学)
国家重点研发计划2017YFB0403105,2017YFB0403100;国家自然科学基金51602141,11674147,61604066,11604137
2020-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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146-152
