新型低功耗金属氧化物TFT集成行驱动电路

摘要：

金属氧化物薄膜晶体管(TFT)属于耗尽型器件,其集成的TFT的行驱动电路一般采用双负电源方案,存在与外围驱动芯片的匹配困难和功耗较大的不足.本文设计了一种新型耦合电路结构,可以产生比负电源更低的电压从而完全关闭输出模块的下拉晶体管,防止氧化物TFT耗尽模式引起的电流泄露问题,并由此设计了新型氧化物TFT行驱动电路拓扑.由于只采用一个负电源,其电源电压范围比采用双负电源方案的小,从而节省了功耗且有利于与外围驱动芯片的匹配连接.实验结果表明,基于刻蚀阻挡层(ESL)结构的氧化物TFT工艺,在玻璃衬底上成功制备了该行驱动电路,在电阻负载RL=3 kΩ和容性负载CL=30 pF下,所设计的行驱动电路在33.3 kHz时钟频率下实现脉宽10μs的全摆幅输出,每级功耗仅为160μW.基于新型耦合电路结构的行驱动电路能够满足60 Hz的刷新频率的1980×1080分辨率的显示需求.

关键词：In-Zn-O薄膜晶体管、行驱动电路、新型耦合电路结构

所属期刊栏目：41

分类号：TP394.1;TH691.9(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;广东省科技计划;广州开发区国际科技合作项目;中央高校基本科研业务费专项

在线出版日期：2020-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：103-109