基于器件结构提高TADF-OLED器件的发光性能
为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势.制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS:x％BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件.研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性.为了提高主体材料的利用率,在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层;然后,在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层,形成HAT-CN/NPB结构的PN结,有效降低了器件的启亮电压(2.7 V).测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱.结果表明,在最佳掺杂比例(2％)下,器件的外量子效率(EQE)达到4.92％,接近荧光OLED的EQE理论极限值;加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层,使得器件的EQE达到5.37％;HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V),将OLED器件的EQE提高到5.76％;HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率,降低了单空穴器件的阻抗.TADF材料作为主体材料在提高OLED器件的光电性能方面具有很大的潜力.
热活化延迟荧光材料、TADF-OLED、单空穴器件、阻抗谱
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TN383+.1(半导体技术)
国家自然科学基金;山东省重点实验室产业联盟基金;山东省自然科学基金
2020-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
77-85
