光电耦合对InGaN/GaN量子阱光学性能的影响

摘要：

围绕高性能GaN基垂直腔面发射激光器(VCSELs),设计了两种具有不同光电耦合强度的InGaN/GaN量子阱(QWs)样品,研究了它们的光学性质.样品A在腔模的两个波腹处各放置两个InGaN耦合量子阱,而样品B在腔模的一个波腹处放置5个InGaN耦合量子阱.计算表明样品A具有较大的相对光限制因子1.79,而样品B为1.47.光学测试发现样品A有着更高的内量子效率(IQE)和更高的辐射复合效率.使用两种样品制作了光泵VCSEL结构,在光激发下实现激射,其中基于样品A的VCSEL有着更低的激射阈值.结果表明有源区结构会显著影响量子阱与光场的耦合作用、外延片的内量子效率、辐射复合寿命和VCSEL激射阈值,同时也说明样品A的有源区结构更有利于制作低阈值的VCSEL器件.

关键词：有源区、相对光限制因子、内量子效率、复合寿命、垂直腔面发射激光器

所属期刊栏目：41

分类号：O472.3(半导体物理学)

资助基金：科学挑战专题;国家自然科学基金

在线出版日期：2020-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：48-54