InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及 其高响应度广光谱光电探测器
为了实现紫外-可见波段的高响应度/低成本的广光谱光电探测,我们制备了基于一维p型Se微米线与二维n型InSe纳米片的混维范德瓦尔斯异质结广光谱探测器.得益于Se微米线与二维层状结构InSe纳米片的高结晶质量,该器件在紫外-可见光广光谱范围都具有非常高的响应度,该器件的响应截止边为700 nm.值得指出的是,该器件在-5 V的偏压下,对460 nm的光源响应度可以达到108 mA/W,该数值比原来的Se探测器高了800％.这项研究有利于拓展我们对范德瓦尔斯异质结的认识,也为今后制备高性能的低维光电探测器提供了一种新的途径.
半导体、范德瓦尔斯异质结、光电探测器、多层结构
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TN304(半导体技术)
国家自然科学基金61874037,61505033;国家博士后科学基金2017M621254,2018T110280;黑龙江省博士后科学基金LBH-TZ1708;哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室开放课题2017KM003;哈尔滨工业大学创新课题HIT.NSRIF.2019060
2019-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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