δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿

摘要：

三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的(100)p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂.基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件.在4～200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象.发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的.然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式.

关键词：共振隧穿、重空穴和轻空穴、GaAs/AlAs多量子阱、电流-电压特征、δ-掺杂

所属期刊栏目：40

分类号：O472+.4(半导体物理学)

资助基金：山东省自然科学基金ZR2017MF018;国家自然科学基金61675223

在线出版日期：2019-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1373-1379