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10.3788/fgxb20194010.1228

CuBrx I1-x闪烁薄膜的制备和发光性能

引用
为了系统地研究Br的引入对CuBrx I1-x薄膜发光强度和衰减时间的影响,通过气相沉积法在Si片上制备了CuBrxI1-x(0≤x≤1)闪烁薄膜,并测试了薄膜的发光性能和衰减曲线.结果表明,所制备的样品具有良好的CuBrxI1-x(0≤x≤1)固溶体结晶性;相对于长波段的深能级发射,CuBrxI1-x薄膜均表现出较强的光致和X射线激发近带边发射,且发射强度随Br含量的增加而大幅增加,有利于提高闪烁器件的探测效率;不过薄膜的发光衰减时间会随Br含量的增加而变慢(40~300 ps).本研究工作对于通过选择合适组分的CuBrxI1-x闪烁材料以平衡探测效率和时间响应的测量需求具有重要意义.

CuBrxI1-x闪烁薄膜、发光强度、衰减时间

40

O484.4(固体物理学)

国家自然科学基金11475128,11675121,11375129,11775160;国家重大科学仪器设备开发专项2011YQ13001902

2019-10-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1228-1233

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发光学报

1000-7032

22-1116/O4

40

2019,40(10)

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