基于显微红外热点定位系统的发光二极管失效分析
失效定位技术是发光二极管失效性分析中的重要组成部分,本文在主流的3种失效定位技术:光子辐射显微技术、光诱导电阻变化、红外热成像显微技术的基础上,提出了一种显微红外热点定位测试系统.该系统通过双线性插值算法使源图像放大至原来的4倍,在使用20μm微距镜头的条件下,能达到与5μm微距镜头接近的效果,降低了LED失效检验成本.利用可见光图像和红外热像图的叠加,提高电压对LED芯片失效点进行锁定,能在大范围内迅速定位LED芯片缺陷所在.在此基础上,结合FIB技术和SEM设备分析LED芯片微观结构,可以进一步分析LED芯片的失效原因,最终得到LED芯片的失效机理.实验结果表明,在初步的缺陷定位中,显微红外热点定位系统可快速地在无损条件下大范围区域内提供LED热数据分布,定位关键失效点,有效地提高了工作效率,降低了失效检测成本.
显微红外热点定位、发光二极管、失效分析、失效定位、双线性插值算法
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TN312+.8;TN307;TN219(半导体技术)
广东省科技计划2017B010114001,2015B010127004;广东省应用型科技研发专项2015B010134001;广州市科技计划201604040004,201604016010,201704030140;广东省扬帆计划2015YT02C093;中山市科技计划2016A1009, 2017C1011,2018A10013
2019-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
1185-1191
