全息光刻制备808 nm腔面光栅半导体激光器

摘要：

利用全息光刻开展了808 nm腔面光栅半导体激光器腔面膜系制备,制备与表征了单管芯器件,单管芯器件条宽100μm,腔长2 mm,输出中心波长807.32 nm,光谱半宽为0.36 nm,15～45℃温度范围内波长随温度的漂移系数为0.072 nm/℃,室温单管芯最大连续输出功率达到2.8 W,阈值电流为0.49 A,斜率效率为1.05 W/A.测试结果表明808 nm腔面光栅半导体激光器实现了单纵模输出.

关键词：半导体激光器、波长锁定、腔面光栅、全息光刻

所属期刊栏目：40

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61774025;吉林省科技厅项目20140520139JH,20170520157JH,20152420170414016GH,2015174

在线出版日期：2019-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1130-1135