InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响
基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获得明显的效率提升.在35 A/cm2的电流密度下,主波长为520 nm的LED外量子效率和光功率分别达到43.6％和362.3 mW,这是截至目前报道的最高记录.通过分析表明,其潜在的物理机制归结于p-AlGaN插入层能够提高空穴从V坑注入的效率.本文提供了一种有效提升发光效率的方法,尤其适合于含有V坑结构的InGaN/GaN LED.
绿光LED、p-AlGaN插入层(IL)、外量子效率、V坑、空穴注入效率
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O482.31;O484.4(固体物理学)
国家重点研发计划2016YFB040060,2016YFB0400601;国家自然科学基金重点项目61334001;江西省发展计划20165ABC28007,20182ABC28003
2019-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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