电子阻挡层Al组分对Si衬底GaN基黄光LED内量子效率的影响

摘要：

为了探究具有双层电子阻挡层设计的GaN基黄光LED中首层电子阻挡层(EBL-1)Al组分对内量子效率的影响以及其中载流子注入的主要物理机制,首先使用硅衬底GaN基黄光LED外延与芯片工艺,在外延过程中通过控制三甲基铝(TMAl)流量,分别获得EBL-1含有Al组分约20％、50％、80％的硅衬底GaN基黄光LED;随后使用半导体仿真软件Silvaco Atlas对这3种样品的实际测试内量子效率曲线进行拟合.结果表明,EBL-1中Al组分对内量子效率的影响主要体现在两方面:一是EBL-1的Al组分越高越有利于空穴从V形坑侧壁注入到多量子阱有源区;二是EBL-1中过高的Al组分会降低p型GaN晶体质量,导致空穴浓度下降;综合表现为Al组分约50％的EBL-1在这种双层电子阻挡层的设计下最有利于提高硅衬底GaN基黄光LED的内量子效率.

关键词：GaN、黄光LED、电子阻挡层、半导体仿真

所属期刊栏目：40

分类号：TP394.1;TH691.9(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家重点研发计划项目2016YFB0400600,2016YFB0400601;国家自然科学基金11674147;江西省重点研发计划20171BBE50052

在线出版日期：2019-09-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1102-1107