点缺陷对Al0.5 Ga0.5 N纳米片的电子性质和光学性质影响:第一性原理研究

摘要：

为了研究点缺陷对Al0.5 Ga0.5 N纳米片电子结构和光学性质的影响,建立了Al、Ga、N空位和N取代Al、N取代Ga的经典点缺陷结构.基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势的方法和GGA-PBE交换互联函数计算了能带、态密度、复介电函数、复折射率、吸收谱和能量损失谱等信息.结果表明,空位缺陷和替代缺陷会导致带隙变窄,其中Al空位和Ga空位均使费米能级进入价带,N空位使纳米片显n型性质;替代缺陷会使纳米片显示半金属性质.在光学性质上,缺陷导致纳米片复介电函数虚部低能区出现峰值,说明有电子跃迁的出现.同时空位缺陷导致吸收光谱在低能区有扩展,可见光范围也包含在内.

关键词：Al0.5Ga0.5N纳米片、第一性原理、电子结构、光学性质

所属期刊栏目：40

分类号：O471.5;O472+.3;O472+.4(半导体物理学)

资助基金：国家重点科研项目政府间合作专项2016YFE0118400;河南省科技重点项目172102410062;国家自然科学基金河南省联合基金重点项目U1604263

在线出版日期：2019-08-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：979-986