N掺杂MgZnO薄膜的光电性质

摘要：

ZnO是优异的紫外发光和激光材料,氮被认为是p型ZnO和MgZnO的理想受主掺杂剂,但在较低生长温度下氮的掺入会显著破坏晶格完整性,使氧化锌的载流子迁移率进一步下降.为了研究N的掺入对MgZnO薄膜的影响,利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了N掺杂的ZnO和MgZnO薄膜.实验结果表明,在其他条件完全相同的情况下,当Mg源温度为245℃和255℃时,载流子迁移率会显著提高,这一现象被归结为Mg—N成键抑制了氧位上N—N对的形成,缓解了晶格的扭曲.同时当Mg源温度为275℃时,能够使N掺杂ZnO薄膜中的施主浓度降低一个量级,有利于实现p型掺杂.

关键词：分子束外延、MgZnO薄膜、光电性质

所属期刊栏目：40

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：东北石油大学科研启动经费资助项目rc201736;东北石油大学青年基金NEPUBS2014-04

在线出版日期：2019-08-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：956-960