InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱
利用MOCVD在Al2 O3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片.以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱.通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性.研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长.以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考.
GaN、多量子阱、发光二极管、外延、光致发光
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O433.4;TN312+.8(光学)
国家重点研发计划2017YFB0403700;国家自然科学基金61864008;安徽省自然科学面上基金1808085MF205;陕西省自然科学基础研究计划2017JQ6011
2019-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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