Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理
采用"牺牲Ni处理"的方法研究了Ni对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理.利用传输线法(TLM)、紫外分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)以及二次离子质谱仪(SIMS)等表征方式对Ag/p-GaN界面层光电性能进行了研究.结果表明,牺牲Ni处理后p-GaN表面仍会残留少量的Ni并以Ni2 O3的形式存在;p-GaN表面Ga 2p3结合能峰位朝低能方向移动了0.3 eV,提高了Ag/p-GaN间的欧姆接触性能.我们认为,界面处的Ni会优先和p-GaN表面Ga2 O3氧化物中的O结合形成Ni2 O3,进而降低了p-GaN表面费米能级,提高了Ag/p-GaN之间的欧姆接触性能.
Ag/p-GaN接触、牺牲Ni处理、Ni插入层、表面费米能级
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O482.31;O484.4(固体物理学)
国家自然科学基金青年科学基金61604066;国家重点研发计划2016YFB0400600,2016YFB0400601;国家自然科学基金重点项目61334001,21405076,11604137,11674147,51602141
2019-07-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
865-870
