基于复合绝缘层SiNx/PMMA的有机金属-绝缘层-半导体器件

摘要：

为改善有机半导体器件的界面性能,在氮化硅层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)构成复合绝缘层.首先,利用原子力显微镜研究了不同浓度的PMMA复合绝缘层的表面形貌及粗糙度.接着,蒸镀六联苯(p-6P)、酞菁铜和金电极,构成有机的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件.最后,研究了MIS器件的回滞效应及电性能.实验结果表明,复合绝缘层的粗糙度为单绝缘层的1/5,大约1.4 nm.复合绝缘层上的p-6P薄膜随着PMMA浓度增加形成更大更有序的畴,但单绝缘层上薄膜呈无序颗粒状.复合绝缘层的有机MIS器件几乎没有回滞现象,但单绝缘层的器件最大回滞电压约为12.8 V,界面陷阱电荷密度约为1.16×1012 cm-2.复合绝缘层有机薄膜晶体管的迁移率为1.22×10-2 cm2/(V·s),比单绝缘层提高了60％,饱和电流提高了345％.基于复合绝缘层的MIS器件具有更好的界面性能和电性能,可应用到有机显示领域.

关键词：复合绝缘层、金属-绝缘层-半导体、聚甲基丙烯酸甲酯、氮化硅、回滞效应

所属期刊栏目：40

分类号：O649(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：国家自然科学基金21403016;吉林省科技厅重点攻关项目20170204014SF;吉林省教育厅项目JKH20191316KJ

在线出版日期：2019-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：773-780