喷墨打印金属氧化物异质结晶体管

摘要：

通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制.ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnO TFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42 cm2/(V·s).开关比分别增大了2个和4个数量级,达到1.8×108.性能的显著改善源自于IGZO和ZnO异质界面间由于导带的大偏移量而形成的二维电子气.

关键词：金属氧化物半导体、喷墨打印、异质结、二维电子气

所属期刊栏目：40

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2016YFB0401103;福建省自然科学基金2016J01749

在线出版日期：2019-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：497-503