TiO2纳米管刻蚀生长机理及其光电性能

摘要：

采用盐酸将有序排列的TiO2纳米棒刻蚀成纳米管,并推测了生长机理.刻蚀过程中,凹陷沿棒生长方向自上而下由内而外产生,最终形成管式结构.大量纳米线围绕成具有方形空心截面的纳米管,高温下将完全分裂.TiO2纳米管的光电转换效率远高于纳米棒,最高值(3.26％)出现在140℃刻蚀温度.纳米管比表面积增加和长度缩短分别对光电性能起到正反两方面作用.此外,煅烧导致纳米管断裂和聚集,光生载流子定向转移的难度增加,光电转换效率降低.

关键词：TiO2纳米管、刻蚀、生长机理、光电性能

所属期刊栏目：40

分类号：TN36(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金青年基金51402161;福州大学能源与环境光催化国家重点实验室开放课题SKLPEE-KF201707

在线出版日期：2019-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：459-467