衬底温度对共蒸发法制备Cu2ZnSnSe4太阳电池的影响

摘要：

采用共蒸发法在不同衬底温度下沉积Cu2 ZnSnSe4(简称CZTSe)薄膜,分析了衬底温度对CZTSe材料性质及电池性能的影响.研究表明:当衬底温度较低时(380℃),CZTSe薄膜中含有SnSex使电池失效;随着衬底温度的升高,CZTSe薄膜的结晶质量明显提升,电池开路电压增加.但当衬底温度达到460℃时,电池的转换效率反而下降;结合CZTSe的生长机理及器件模型分析了电池效率下降可能的原因.最终在衬底温度420℃的条件下制备出效率为3.12％(有效面积0.34 cm2)的CZTSe太阳电池.

关键词：太阳电池、铜锌锡硒、共蒸发、温度

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分类号：O482.31;TB34(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61705077;吉林省教育厅"十三五"科学技术项目JJKH20180591KJ

在线出版日期：2019-05-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：334-339