退火温度对新型有源层WZTO薄膜晶体管性能的影响

摘要：

通过溶液法制备了新型有源层钨锌锡氧化物(WZTO)薄膜晶体管(TFT),研究了不同退火温度对WZ-TO薄膜和TFT器件性能的影响.XRD结果表明即使退火温度达到500℃,WZTO薄膜仍为非晶态结构.W掺杂显著降低了薄膜表面粗糙度,其粗糙度均从0.9 nm降低到0.5 nm以下;但不影响薄膜可见光透过率,其透过率均大于85％.同时XPS分析证实随退火温度升高,WZTO薄膜中对应氧空位的峰增加.制备的WZTO器件阈值电压由8.04 V降至3.48 V,载流子迁移率随着退火温度的升高而增大,开关电流比达到107.

关键词：退火温度、溶液法、薄膜晶体管、WSnZnO

所属期刊栏目：40

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2016YFB0401105;国家自然科学基金61674101;上海科学技术委员会项目17DZ2291500;上海市优秀学术/技术带头人计划18XD1424400

在线出版日期：2019-03-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：209-214