硒化温度对共溅射法制备的CZTSSe薄膜与电池性能的影响
采用共溅射法结合后硒化成功制备出CZTSSe薄膜,主要研究了不同的硒化温度对CZTSSe薄膜与电池性能的影响.分别采用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计、霍尔效应测量仪及数字电源表对不同硒化温度下制备的CZTSSe薄膜的结构、形貌、光电与太阳电池性能进行了表征与分析.结果表明,当硒化温度为580℃时,CZTSSe薄膜的结晶性最好,薄膜表面均匀致密且其电阻率和载流子浓度达到最小值和最大值,分别为1.57Ω·cm和8.2×1017 cm-3,该硒化温度下制备得到的CZTSSe太阳电池的短路电流和转换效率最高达到30.68 mA/cm2和5.17％.相对于550℃和600℃硒化温度下的CZTSSe太阳电池,其光电转换效率分别提高了36％和6％.另外,随着硒化温度的升高,CZTSSe薄膜在XRD中的(112)峰位和Raman中的A1模式振动峰位都向小衍射角和短波数方向移动,薄膜的禁带宽度也从1.26 eV减小至1.21 eV.
铜锌硒硫硒、共溅射、硒化温度、电池性能
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O472(半导体物理学)
国家自然科学基金61774084;江苏省科技成果转化专项资金BA2015121;江苏省前瞻性联合创新项目BY2016003-09;中央高校基本科研业务费项目3082017NP2017106;江苏高校优势学科建设工程项目资助
2019-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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