压强对GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响

摘要：

采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在GaAs(001)衬底上制备GaSb量子点,研究了反应室压强对改善GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响.通过Sb表面处理方法,在GaAs衬底上形成低表面能的Sb-Sb浮层,实现以界面失配(IMF)生长模式对GaSb量子点诱导生长.用原子力显微镜(AFM)对各样品的量子点形貌进行了表征,结果表明GaSb量子点形貌各向异性明显且沿[110]方向拉长.在压强条件为10 kPa时,IMF生长模式导致不对称岛的长宽比大于3,由于低能量(111)侧面的存在,GaSb量子点优先沿[110]方向生长而不是与之垂直的[110]方向.压强降低至4 kPa时量子点密度增大为8.3×109 cm-2,量子点形貌转变为对称的半球形且长宽比约为1.低的压强降低了吸附原子的扩散激活能从而增大了扩散长度,可以有效改善GaSb量子点的各向异性.

关键词：GaSb/GaAs量子点、各向异性、IMF生长模式、MOCVD

所属期刊栏目：40

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61574069

在线出版日期：2019-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：17-22