新型Gd2SiO5:RE荧光粉的制备和发光性能
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10.3788/fgxb20194001.0009

新型Gd2SiO5:RE荧光粉的制备和发光性能

引用
以Gd2O3、SiO、稀土氧化物为原料采用高温固相法制备了Gd2(1-x)SiO5:2xRE荧光粉体.X射线衍射分析结果表明Gd/Si配比为1.9,BaF2助熔剂用量为5‰,煅烧条件为1500℃保温3 h得到结晶良好的Gd2 SiO5及Gd2 SiO5:RE粉体.光谱分析表明,Gd2 SiO5:Eu荧光粉末激发波段为250~470 nm,而Gd2 SiO5:Tb为250~320 nm;前者发射主峰为620 nm(与Eu3+的5D0→7F2对应),后者为548 nm(与Tb3+的5D4→7F5对应);Eu3+和Tb3+的最佳掺杂量为7%.fa(E)和发射带fe(E)交叠越大,则电偶极-电偶极作用机制的跃迁几率越高,Gd3+-Tb3+能带交叠程度大于Gd3+-Eu3+,Tb3+的量子效率要高于Eu3+.

硅酸钆盐、光谱分析、能量传递、高温固相反应法

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TB332(工程材料学)

国家重点研发计划2016YFB0701201,2016YFB0701203,2017YFB1103701;国家自然科学基金11564025,51671101, 51464034,51062003;江西省自然科学基金20161ACB21003,20132BAB202010,2010GZW0016;江西省教育厅重点计划GJJ150010

2019-03-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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发光学报

1000-7032

22-1116/O4

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