基于金属掺杂ITO透明导电层的紫外LED制备
为降低ITO薄膜对紫外波段的光吸收,制备低电压高功率的紫外LED,研究了一种基于金属掺杂ITO透明导电层的365 nm紫外LED的制备工艺.利用1 cm厚的石英片生长了不同厚度ITO薄膜以及在ITO上掺杂不同金属的新型薄膜,并研究了在不同的退火条件下这种薄膜的电阻和透过率,分析了掺杂金属ITO薄膜的带隙变化.将这种掺杂的ITO薄膜生长在365 nm外延片上并完成电极生长,制备成14 mil×28 mil的正装LED芯片.利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试并对比.实验结果表明:掺Al金属的ITO薄膜能够相对ITO薄膜的带隙提高0.15 eV.在600℃退火后,方块电阻降低6.2Ω/□,透过率在356 nm处达到90.8％.在120 mA注入电流下,365 nm LED的电压降低0.3 V,功率提高14.7％.ITO薄膜掺金属能够影响薄膜带隙,改变紫光LED光电性能.
ITO、掺金属、薄膜带隙、紫外LED
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TP394.1;TH691.9(计算技术、计算机技术)
广东省科技计划2015B010127013,2016B010123004,2017B010112003;广州市科技计划201504291502518,201604046021,201707010067;国家自然科学基金61404050
2019-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
1735-1742
