GaN基白光LED可靠性研究与失效分析
针对LED样品检测中的样品短路失效、LED光源黑化、光通量下降和芯片表面通孔异常现象,采用金相切片、机械微操、静电测试等方式结合扫描电镜和能谱仪(EDS)等表征手段对失效机制进行了分析,揭示了LED失效原因.包括镀层银离子与杂质硫离子导致光源黑化;芯片抗静电电压低,部分样品发生静电击穿;失效芯片通孔下面的Ni-Sn共晶层存在大量空洞,使得复杂结构的芯片通孔应力不均,样品工作时芯片表面开裂破碎,从而导致PN结短路失效;封装胶中残存的杂质离子腐蚀芯片负电极导致电极脱落而出现漏电、光衰和死灯等现象.
LED、可靠性分析、电极、芯片、封装
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TN312.8;TN304.2(半导体技术)
广东省科技计划2017B010114001,201704030140,2015B010127004;广东省应用型科技研发专项2015B010134001;广州市科技计划201604040004,201604016010;广东省扬帆计划2015YT02C093;中山市科技计划2016A1009,2017C1011
2019-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
1705-1713
