硼烯纳米带能带结构和态密度的第一性原理研究

摘要：

基于密度泛函理论,采用第一性原理的方法计算H修饰边缘不同宽度硼稀纳米带的电荷密度、电子能带结构、总态密度和分波态密度.结果表明,硼烯纳米带的宽度大小影响着材料的导电性能,宽度5的硼烯纳米带是间接带隙简并半导体,带隙值为0.674 eV,而宽度7的硼烯纳米带却具有金属材料的性质.分波态密度表明,宽度5的硼烯纳米带的费米能级附近主要是由B-2s、2p电子态贡献,H-1s主要贡献于下价带且具有局域性,消除了材料边缘的不稳定性.宽度7的B-2p和H-1s电子态贡献的导带和价带处于主导地位,费米能级附近B-2p和H-1s电子态的杂化效应影响材料的整体发光性能.

关键词：硼烯纳米带、能带、第一性原理、分波态密度

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分类号：TB303;O472.4(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金11464034;内蒙古自治区自然科学基金2016BS0107;内蒙古民族大学科学研究项目NMDGP1718

在线出版日期：2019-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1674-1678