常压CVD法合成铌掺杂少层MoS2

摘要：

利用粉体NbCl5作为Nb掺杂源,采用常压CVD方法合成了大尺寸Nb掺杂的少层MoS2薄膜.通过扫描电子显微镜和原子力显微镜观察获得了该薄膜样品的形貌和厚度信息.拉曼光谱和X射线光电子谱测试证实了Nb被掺入到了MoS2薄膜中,Nb掺杂的MoS2合金薄膜已经形成.最后,对Nb掺杂的少层MoS2薄膜的电学性质进行了测试.

关键词：常压CVD、MoS2薄膜、Nb掺杂

所属期刊栏目：39

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61705078,61704065,11374296;吉林省科技厅发展计划20180520179JH,20150414003GH

在线出版日期：2019-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1654-1658