单层WSe2、MoSe2激子发光的压力诱导K-Λ交互转变

摘要：

采用机械剥离法在金刚石对顶砧中制备了单层WSe2和MoSe2样品,利用高压微区荧光光谱测量技术,在氩传压介质环境下对其激子发光行为进行了高压调控研究.其中单层WSe2的中性和负电激子演化趋势在2.43 GPa处出现拐点,单层MoSe2中性激子发光在3.7 GPa处发生了劈裂.结合第一性原理计算分析,确认该不连续现象的产生机制为压力诱导的导带底K-Λ交互转变.该结果可以扩大至整个二维层状材料体系,为发展激子器件垫定基础.

关键词：单层WSe2、单层MoSe2、金刚石对顶砧、激子

所属期刊栏目：39

分类号：O472+.3(半导体物理学)

资助基金：国家重点研发计划2018YFB1107600;吉林省科技发展计划项目20160204073GX

在线出版日期：2019-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1647-1653