Cs掺杂的高性能(NH2CH＝NH2)1-xCsxPbI3光电探测器

摘要：

FAPbI3有机无机杂化钙钛矿光电探测器还存在一些问题,合成纯α相光敏钙钛矿需要较高的退火温度(150～160℃),不利于柔性器件的制备;另外,在常温下,FAPbI3容易发生α→δ的相变,器件的空气稳定性很差.本文制备了Cs掺杂的二极管型FA1-xCsxPbI3光电探测器.结果表明,Cs的掺杂一方面有效降低了合成纯α 相FA钙钛矿的退火温度,另一方面提高了器件性能以及空气稳定性.对比不同Cs掺杂浓度的器件性能,发现掺杂摩尔分数为10％时,器件性能最优,其开关比可达1.6×105,响应速度达到7.1μs,在350～800 nm宽光谱范围内探测率都在1012 cm·Hz1/2·W-1(Jones)量级.本研究为实现低温制备高性能高稳定性的FA钙钛矿光电探测器提供了一条可行的途径.

关键词：FAPbI3钙钛矿、相变、Cs掺杂、光电探测器性能

所属期刊栏目：39

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61475014,61674012,61675018,61775011;国家重点研发计划2016YFB0700703

在线出版日期：2018-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1613-1620