生长温度对MOCVD外延ZnO纳米结构的影响

摘要：

为了探究生长温度对外延ZnO纳米结构的影响,得到ZnO纳米结构可控生长的生长温度条件.利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,设计并获得了不同生长温度的ZnO外延样品,并对所有样品进行了表面形貌、光学特性、电学特性表征和结晶质量表征.实验结果表明:600℃生长的ZnO纳米柱横向尺寸最小,为65 nm左右,其光学特性也相对较好,晶体衍射峰的半峰宽最小,为0.165°,晶粒尺寸最大,为47.6 nm;电学性质相对最优的为640℃生长的ZnO样品,霍尔迁移率高达23.5 cm2/(V·s).通过结果分析发现,生长温度能影响外延ZnO的生长模式,从而影响ZnO的形貌、光学、电学和晶体质量等特性.

关键词：ZnO、MOCVD、生长温度、纳米结构

所属期刊栏目：39

分类号：TP394.1;TH691.9(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金61574069

在线出版日期：2018-10-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1425-1430