刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响

摘要：

隔离槽的制作是实现阵列芯片单元独立的有效方法.本文采用感应耦合等离子体干法刻蚀(ICP)和具有高刻蚀比的SiO2与光刻胶混合掩膜在GaN基微尺寸LED上制备了3种深度的隔离槽和6种不同的芯片尺寸结构.通过电致发光(EL)和电容计表征不同刻蚀深度对LED芯片电学性能和电容大小的影响.实验结果表明,小尺寸的芯片有着更高的电流承受密度和更小的电容值,隔离槽刻蚀深度的增加能降低电容和电阻,从而使RC时间常数得到降低.有源层直径为120μm的芯片从仅有Mesa刻蚀到完全刻蚀到蓝宝石衬底,其RC调制带宽从155 MHz增大到176 MHz.减小芯片尺寸和完全刻蚀到蓝宝石衬底能有效减小芯片RC常数.这些工作将有助于GaN基LED的未来设计和制造,以提高高频可见光通信的调制带宽和光功率.

关键词：深刻蚀隔离槽、微尺寸LED芯片、电容、RC常数

所属期刊栏目：39

分类号：TN303;TN304(半导体技术)

资助基金：广东省应用型科技研发专项资金2015B010127013,2016B010123004;广东省科技计划2014B010119002,2017B010112003, 2016A010103011,2017A050501006;广州市科技计划201504291502518,201604046021,201610010038;中央高校基本科研业务费专项资金2017PY019,2015ZM131

在线出版日期：2018-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1297-1304