刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响
隔离槽的制作是实现阵列芯片单元独立的有效方法.本文采用感应耦合等离子体干法刻蚀(ICP)和具有高刻蚀比的SiO2与光刻胶混合掩膜在GaN基微尺寸LED上制备了3种深度的隔离槽和6种不同的芯片尺寸结构.通过电致发光(EL)和电容计表征不同刻蚀深度对LED芯片电学性能和电容大小的影响.实验结果表明,小尺寸的芯片有着更高的电流承受密度和更小的电容值,隔离槽刻蚀深度的增加能降低电容和电阻,从而使RC时间常数得到降低.有源层直径为120μm的芯片从仅有Mesa刻蚀到完全刻蚀到蓝宝石衬底,其RC调制带宽从155 MHz增大到176 MHz.减小芯片尺寸和完全刻蚀到蓝宝石衬底能有效减小芯片RC常数.这些工作将有助于GaN基LED的未来设计和制造,以提高高频可见光通信的调制带宽和光功率.
深刻蚀隔离槽、微尺寸LED芯片、电容、RC常数
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TN303;TN304(半导体技术)
广东省应用型科技研发专项资金2015B010127013,2016B010123004;广东省科技计划2014B010119002,2017B010112003, 2016A010103011,2017A050501006;广州市科技计划201504291502518,201604046021,201610010038;中央高校基本科研业务费专项资金2017PY019,2015ZM131
2018-09-20(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
1297-1304