PTCDI-C8作为阴极修饰层提高钙钛矿太阳能电池的性能
采用N,N'-二正辛烷基-3,4,9,10-苝四甲酰二亚胺(PTCDI-C8)对钙钛矿电池电子传输层(PCBM)进行界面修饰以减少PCBM与Al电极之间的漏电流,提高阴极的电子收集效率.通过调节PTCDI-C8薄膜的厚度优化界面接触和电子传输性能.实验结果表明:当PTCDI-C8薄膜的厚度为20 nm时得到的器件性能最优.光电转换效率(PCE)由5.26％提高到了8.65％,开路电压(Voc)为0.92 V,短路电流(Jsc)为15.68 mA/cm2,填充因子(FF)为60％.PTCDI-C8能够有效阻挡空穴向阴极传输,同时PTCDI-C8具有较高的电子迁移率以及较高的稳定性,在增加电子传输的同时,可减少环境对PCBM的侵蚀,提高了器件的稳定性.
钙钛矿太阳能电池、界面修饰、空穴阻挡、电子传输
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TM914.4
国家自然科学基金51402214, 61504097;天津市自然科学基金17JCYBJC21000
2018-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
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