MOCVD生长Si衬底上HT-AlN缓冲层低生长压力对GaN薄膜的影响
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在Si(111)衬底上外延GaN薄膜,对高温AlN(HT-AlN)缓冲层在小范围内低生长压力(6.7～16.6 kPa)条件下对GaN薄膜特性的影响进行了研究.研究结果表明GaN外延层的表面形貌、结构和光学性质对HT-AlN缓冲层的生长压力有很强的的依赖关系.增加HT-AlN缓冲层的生长压力,GaN薄膜的光学和形貌特性均有明显改善,当HT-AlN缓冲层的生长压力为13.3 kPa时,得到无裂纹的GaN薄膜,其(002)和(102)面的X射线衍射峰值半高宽分别为735 arcsec和778 arcsec,由拉曼光谱计算得到的张应力为0.437 GPa,原子力显微镜(AFM)观测到表面粗糙度为1.57 nm.
高温AlN缓冲层、氮化镓、金属有机化学气相沉积、X射线衍射、拉曼光谱
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O484.4(固体物理学)
国家自然科学基金61204011,11204009,61574011;北京市自然科学基金4142005;北京市教委科研基金PXM2017014204500034
2018-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
1285-1290
