Eu掺杂GaN薄膜的阴极荧光特性
通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,利用离子注入方法将Eu3+离子注入到GaN基质中.X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复了部分离子注入所导致的晶格损伤.利用阴极荧光光谱可得到GaN:Eu3+材料在623 nm处有很强的红光发射,该发射峰来源于Eu3+离子的内部4f能级跃迁.另外,Eu3+离子注入会在样品中引入电荷转移态,产生408 nm附近的发光.退火处理有助于获得更强的电荷转移态发光和Eu离子特征发光.GaN基质的黄光峰与Eu离子之间存在能量交换,将能量传递给Eu离子,促进Eu离子发光.
氮化镓、阴极荧光、铕、发光、能量传递
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O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金61306004,51002179;江苏省自然科学基金BK20130263;江苏省十三五重点学科20168765;苏州科技大学科研基金XKZ201609;苏州科技大学研究生培养创新工程SKCX17034
2018-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
1268-1271
