GaSb/InSb/InP异质结构的漏电流机制

摘要：

为提高InSb红外探测器室温下的工作性能,设计了GaSb/InSb/InP异质结构,并对结构中俄歇复合与肖克莱-瑞德复合两种复合机制对漏电流的影响进行研究.利用TCAD仿真工具对InSb探测器件进行建模,分析得到能带结构与载流子分布.以能带参数为基础,根据连续性方程,结合漂移扩散模型,分析了俄歇复合在反偏压下的衰减效应,并综合肖克莱-瑞德复合的影响,计算出不同缺陷浓度下器件的漏电流.利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术制备GaSb/InSb/InP异质外延样品,对其漏电流进行测试,并与仿真结果进行对比分析.实验结果表明,计算结果与实验结果一致,器件工作性能的主要限制为肖克莱-瑞德复合机制,器件的漏电流为0.26 A?cm-2,品质因子R0 A为0.1Ω?cm2.相比于同质InSb结构,器件的R0 A提高了一个数量级,已接近实用化水平.

关键词：InSb、红外探测器、非制冷、复合机制、漏电流

所属期刊栏目：39

分类号：TP394.1;TH691.9(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金61574069

在线出版日期：2018-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1143-1150