基于GaAs膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究

摘要：

在红光半导体激光器芯片上采用GaAs介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究.激光器芯片的有源区由一个9 nm厚的GaInP量子阱和两个350 nm厚的AlGaInP量子垒构成,利用MOCVD方法在芯片表面生长GaAs介质膜.在950℃的情况下进行不同时长不同GaAs层厚度的高温快速热退火诱发量子阱混杂.通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律.当退火时间达到120 s时,样品获得53.4 nm的最大波长蓝移;在1 min退火时间下获得18 nm的最小光谱半峰全宽.

关键词：蓝移、无杂质空位扩散、量子阱混杂、扩散

所属期刊栏目：39

分类号：TN248(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家重点研发计划2017YFB0405303

在线出版日期：2018-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1095-1099