不同钝化结构对非极性AlGaN-MSM紫外探测器性能的提升

摘要：

在r面蓝宝石衬底上,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法高温生长了未掺杂非极性AlGaN半导体薄膜,在此基础上制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的紫外探测器.系统研究了在AlGaN半导体薄膜表面分别磁控溅射SiO2纳米颗粒与SiO2钝化层两种钝化手段对非极性AlGaN-MSM结构的紫外探测器性能的影响.实验结果表明:磁控溅射SiO2纳米颗粒钝化或SiO2钝化层两种手段都能提升AlGaN-MSM结构紫外探测器性能.暗电流测试表明,SiO2纳米颗粒和SiO2钝化层可使器件暗电流下降1～2个数量级,达到nA量级.光谱响应测试发现,在5 V偏压下,探测器在300 nm处具有陡峭的截止边,这表明其具有很好的深紫外特性,光谱响应提高了103倍,紫外可见抑制比高达105.

关键词：钝化、非极性AlGaN、MSM、紫外探测器

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：浙江省教育厅一般科研项目Y201737504

在线出版日期：2018-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：997-1001