硅掺杂氧化锡柔性薄膜晶体管的制备与特性

摘要：

研究了柔性非晶硅掺杂氧化锡(SiSnO,STO)薄膜晶体管的电学特性及其在弯曲状态下的电学特性.通过射频磁控溅射在聚酰亚胺(Polyimide,PI)衬底上制备出了柔性非晶硅掺杂氧化锡薄膜晶体管.通过对比不同退火温度的器件性能,发现在300℃能获得最佳器件性能,其饱和迁移率达到2.71 cm2·V-1·s-1,开关比高于106,亚阈值摆幅为1.95 V·dec-1,阈值电压为2.42 V.对器件在不同曲率半径(5,10,20,30 mm)状态下进行输出特性和转移特性测试,发现其在弯曲状态下仍具有良好的电学性能.

关键词：柔性、硅掺杂氧化锡、薄膜晶体管

所属期刊栏目：39

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划2017YFB0404703

在线出版日期：2018-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：968-973