量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响
采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料,研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响.使用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和荧光显微镜(FL)对晶体质量进行了表征,使用电致发光系统积分球测试对光电性能进行了表征.结果表明:随着气压升高,In的并入量略有降低且均匀性更好,量子阱中的点缺陷数目降低,但是阱垒间界面质量有所下降.在实验选取的4个气压4,6.65,10,13.3 kPa下,外量子效率最大值随着量子阱生长气压的上升而显著升高,分别为16.60％、23.07％、26.40％、27.66％,但是13.3 kPa下生长的样品在大电流下EQE随电流droop效应有所加剧,在20 A·cm-2的工作电流下,样品A、B、C、D的EQE分别为16.60％、19.77％、20.03％、19.45％,10 kPa下生长的量子阱的整体光电性能最好.
MOCVD、InGaN/GaN量子阱、黄光LED、生长气压、光电性能
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O484.4;TH691.9(固体物理学)
国家重点研发计划2016YFB0400600,2016YFB0400601;江西省自然科学基金2015BAB207053;江西省重大研发专项20165ABC28007
2018-08-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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