AuSn焊料组分对半导体激光器件性能的影响

摘要：

为了提高半导体激光器件的可靠性,研究了AlN过渡热沉上AuSn焊料不同配比对半导体激光器器件性能的影响.利用MOCVD生长975 nm芯片,通过对半导体激光器器件表面形貌、空洞、光谱特性、热阻特性以及寿命测试,Au组分比重低于72％的AlN过渡热沉封装器件表面颜色明显不同于组分相对较高的,空洞较多,平均波长红移约5 nm,在寿命试验中过早失效,最终得出AuSn焊料中Au组分比重最好大于72％,小于80％,才能保证封装器件焊接质量,为实际生产和使用提供了指导意义.

关键词：AuSn焊料、半导体激光器、AlN过渡热沉、热阻

所属期刊栏目：39

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：大功率半导体激光器技术41414010302资助项目Supported by High-power Semiconductor Laser Technology Project41414010302

在线出版日期：2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：850-854