高光束质量垂直腔面发射激光器同相耦合阵列
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10.3788/fgxb20183906.0844

高光束质量垂直腔面发射激光器同相耦合阵列

引用
质子注入型面发射激光器相干耦合阵列能够实现同相模式的激射,但是由于制作过程中的工艺不均匀性引起单元间存在相位差,影响光束的质量.本文通过设计分离电极结构,使每个单元注入的电流得到分别的控制,实现了3单元三角排列阵列高光束质量同相耦合模式的激射.阵列远场发散角仅为3.4°,大约有25.6%的全部能量聚集在中心光斑.激射光谱的线宽为0.24 nm,边模抑制比为27 dB.该方法能够有效提高相干耦合阵列的光束质量,弥补制作工艺中引入的单元不均匀性,提高器件的可靠性和实用性.质子注入方法简单、成本低,能够成为制作高光束质量相干耦合阵列的一个重要方法.

质子注入、垂直腔面发射激光器、同相耦合

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TN364+.2(半导体技术)

国家自然科学基金51472221;国家自然科学基金青年基金61704156,11404291;河南省高等学校重点科研项目计划17A510019;2017率先行动联合资助优秀博士后项目Y7YBSH0001,Y7BSH14001资助Supported by National Natural Science Fundation of China51472221;National Natural Science Fund Youth Fund61704156, 11404291;Key Scientific Research Project of Henan Higher Education Institutions17A510019;2017 Joint Funding of Excel-lent Post-doctoral StudentsY7YBSH0001,Y7BSH14001

2018-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

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