CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究
为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性.通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究.研究结果表明:光子响应程度均与辐射剂量率相关;CCD像素传感器的沟道传输方式使每列像元间的辐射响应更容易相互干扰;平均灰度值随剂量率的增大存在明显的梯度,各积分周期内输出信号灰度值围绕均值上下波动,CCD像素传感器输出信号灰度浮动范围较小;CMOS像素传感器各像元对光子的响应更加明显,CCD像素传感器各像元的响应信号易与相邻像元发生串扰;各类像素传感器典型辐射响应事件区域中发生光子响应的像元数量随剂量率的增大而增多,响应事件并非单个光子的行为,而是反映了多个光子在区域内同时沉积能量的过程.本研究为开发像素传感器的γ射线辐射探测技术和应用提供了重要的理论分析和实验数据支撑.
互补金属氧化物半导体、电荷耦合元件、像素传感器、光子电离辐射、辐射响应特性
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TN946.1;TN65;TL99
湖南省科技重大专项2012FJ1007资助项目Supported by Major Science and Technology Projects in Hunan Province Program2012FJ1007
2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
815-822
