Zn1-x MgxO电子结构及光学性质的第一性原理GGA+U方法研究

摘要：

Mg掺杂ZnO形成的固溶体Zn1-xMgxO(ZMO)(0≤x≤0.25)是一种带隙较宽、电子学性质可调控的半导体材料,在薄膜太阳电池及光电设备的透明电极等方面具有重要的应用价值.基于密度泛函理论下的第一性原理超软赝势方法,采用GGA+U计算了ZMO的电子结构和光学性质.计算结果表明,随着x值的增加,ZMO的禁带宽度由x=0时的3.32 eV增加到x=0.25时的3.78 eV;光吸收边及反射谱和能量损失谱均发生明显蓝移,峰值存在于紫外光区.计算结果与实验结论相符合.

关键词：ZMO、第一性原理、电子结构、光学性质

所属期刊栏目：39

分类号：O472+.3(半导体物理学)

资助基金：863国家高技术研究发展计划2015AA050610资助项目Supported by 863 National High Technology Research and Development2015AA050610

在线出版日期：2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：795-801