有机分子PTCDA在P型Si单晶(100)晶面的生长机理

摘要：

对PTCDA的分子结构及其化学键的形成进行了分析,并讨论了晶面指数(100)Si单晶的晶格结构.在此基础上,评述了PTCDA分子在P-Si单晶(100)晶面上生长的机理,并制备了样品PTCDA/P-Si(100).利用XRD对样品测试得出,在P-Si(100)晶面上沉积的PTCDA薄膜中仅存在α物相.利用XPS对样品测试得出,在其界面层中PTCDA酸酐中的4个羟基O原子与C原子结合,其结合能为532.4 eV;苝核基团外围的8个C、H原子以共价键结合,其结合能为289.0 eV;在界面处,悬挂键上的Si原子与PTCDA酸酐中的C、O原子结合,形成C—Si—O键及C—Si键,构成了界面层的稳定结构.

关键词：有机半导体材料PTCDA、P-Si(100)晶面、生长机理

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.93(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60676033,60276026;甘肃省自然科学基金145RJZA071资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China60676033,60276026;National Natural Science Foundation of Gan-su Province145RJZA071

在线出版日期：2018-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：790-794