多芯片LED器件热学特性分析
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10.3788/fgxb20183905.0751

多芯片LED器件热学特性分析

引用
由于芯片之间存在的热耦合效应,多芯片LED器件内部存在复杂热学规律.本文通过多芯片LED热学模型描述多芯片LED器件系统内部热阻支路路径,进而通过有限体积数值计算多芯片LED器件结温.通过本文试验验证,单颗芯片、2颗芯片、3颗芯片以及4颗芯片在负载不同电功率(0.3~1.2 W)情况下,结温的测试值和计算值的最小误差值为0.8%,最大误差值为6.8%,平均误差值为3.4%,计算结果与测试结果基本保持一致,因此有利论证了多芯片LED热学模型可为评价多芯片LED器件热学性能提供重要的参考作用,有助于更全面分析多芯片LED热阻内部芯片之间的热耦合效应.该实验结果为准确预测多芯片LED器件内部结温提供了重要理论依据.

多芯片LED器件、热学特性、热耦合效应、结温、有限体积法

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TN312+.8(半导体技术)

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2018-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

751-756

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1000-7032

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